TSMC presentará en IEDM 2026 su plataforma A14 NanoFlex Pro con nanosheet de segunda generación
La fundición taiwanesa mostrará en diciembre detalles técnicos de su plataforma A14 NanoFlex Pro, que promete mejoras de rendimiento completo de nodo frente a N2 y la SRAM más densa del mundo, con producción en volumen prevista para 2028.
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company presentará el próximo 14 de diciembre en San Francisco los detalles técnicos de su plataforma A14 NanoFlex Pro, durante la conferencia IEEE IEDM 2026. La sesión técnica, a cargo del investigador Shien-Yang Wu, revelará los avances de una tecnología que la fundición taiwanesa posiciona como un salto completo de nodo frente a su predecesora N2.
Según el resumen oficial de la ponencia, A14 incorpora tecnología de nanosheet de segunda generación y entrega mejoras sustanciales en el trinomio rendimiento-potencia-área: entre 10 y 15 por ciento más de velocidad, reducción de consumo energético del 25 al 30 por ciento, y aumento de densidad de chip cercano al 20 por ciento impulsado por escalamiento conjunto de lógica y memoria SRAM. La plataforma presume de haber alcanzado la SRAM más pequeña del mundo, con un tamaño de celda inferior a 0.017 micrómetros cuadrados y la mayor densidad de macro SRAM lograda hasta la fecha mediante reducción de reglas dimensionales.
La tecnología A14 también integra capacidades de interconexión avanzada orientadas a la integración tridimensional y al empaquetado de sistemas completos. Entre ellas destacan vías de silicio pasante (TSV), procesos metal-aislante-metal de alto rendimiento y un nivel de redistribución innovador que permite un pitch de unión SoIC de 4.5 micrómetros, pensado para acelerar el escalamiento a nivel de sistema en productos SoIC.
TSMC proyecta que la tecnología A14 entre en producción en volumen durante 2028, con rendimiento y progreso de dispositivos que la compañía describe como robustos. La presentación en IEDM será la primera divulgación pública detallada de una plataforma que apunta a aplicaciones de computación de alto rendimiento, inteligencia artificial y sistemas móviles avanzados, en un contexto de competencia creciente por el liderazgo en procesos de fabricación por debajo de 2 nanómetros.
TSMC, el mayor fabricante de chips del mundo, mostrará en diciembre su nueva tecnología de fabricación llamada A14 NanoFlex Pro. Esta tecnología usa transistores de tipo "nanosheet" (hojas nanométricas) de segunda generación, que permiten hacer chips más rápidos, que consumen menos energía y ocupan menos espacio que la generación anterior. La compañía afirma haber logrado la memoria SRAM más pequeña y densa del mundo, y planea fabricar chips con esta tecnología a partir de 2028 para aplicaciones de inteligencia artificial y computación avanzada.
- TSMC sigue apostando por nanosheet mientras Intel y Samsung exploran arquitecturas de puerta envolvente (gate-all-around) alternativas — la ejecución en densidad de SRAM será el campo de batalla real, no solo el nombre de la arquitectura.
- Una SRAM de menos de 0.017 µm² implica que TSMC está escalando memoria casi tan agresivamente como lógica, algo que históricamente ha sido el cuello de botella para densidad de chip en nodos avanzados — si se confirma en producción, cambia la ecuación de costo por transistor.
- El pitch de unión SoIC de 4.5 µm sugiere que TSMC está integrando empaquetado avanzado directamente en el roadmap de proceso, no como agregado posterior — señal de que el escalamiento futuro no será solo 2D sino cada vez más vertical.
- Presentación técnica en diciembre de 2026 para producción en 2028 marca un ciclo de desarrollo de ~18 meses desde divulgación a volumen — notablemente más corto que los 24-30 meses tradicionales, lo que podría reflejar presión competitiva o mayor madurez de la arquitectura nanosheet.
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